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I ricercatori hanno sviluppato una tecnologia che potrebbe consentire ai laptop di svegliarsi istantaneamente da uno stato di spegnimento senza esaurire la durata della batteria come fanno gli stati di sonno.
I ricercatori universitari hanno costruito materiale ferroelettrico - comunemente trovato su smartcard - su silicio, che potrebbe consentire a determinati transistor di conservare le informazioni dopo l'interruzione dell'alimentazione. Gli scienziati della Pennsylvania State University, della Cornell University e della Northwestern University sono coinvolti nella ricerca.
Le nuove scoperte potrebbero far risparmiare tempo agli utenti avviando istantaneamente i laptop nel loro stato quando sono stati chiusi. Ad esempio, un transistor nel laptop sarà in grado di mantenere lo stato di un documento Word all'arresto e ricaricare immediatamente lo stesso stato al riavvio.
[Ulteriori letture: Le nostre scelte per i migliori PC portatili]"It sarebbe istantaneo, il che significa che non appena la corrente si riaccenderà, il tuo computer si troverà esattamente nello stesso stato in cui era quando lo spegnesti e pronto per l'azione ", ha dichiarato Darrell Schlom, ricercatore principale e professore presso il dipartimento di scienza dei materiali e ingegneria presso la Pennsylvania State University.
Le funzionalità di avvio rapido sono abilitate nei laptop e nella maggior parte dei dispositivi mobili, ma molti non sono in grado di ricreare gli stati di arresto. I computer portatili di solito non si riavviano mai al loro stato di spegnimento, a meno che non siano in modalità di sospensione, che scaricano la carica della batteria. In sostanza, i materiali ferroelettrici potevano risvegliare i laptop dalla modalità di sospensione, ma senza assorbire la carica della batteria.
La ricerca potrebbe aprire la strada a una nuova generazione di dispositivi di memoria a bassa potenza e velocità più elevata, ha affermato Schlom. Per gli utenti di laptop, potrebbe ridurre il tempo necessario per caricare un sistema operativo da dispositivi di archiviazione come i dischi rigidi. Il materiale ferroelettrico potrebbe anche conservare i dati in caso di perdita di energia.
La ricerca ruota intorno alla costruzione di transistor ferroelettrici, che possono conservare dati in qualsiasi stato elettrico, su transistor ibridi. I materiali ferroelettrici si trovano nelle smartcard utilizzate oggi nelle carte metropolitane, ATM e carburante.
I ricercatori presero il titanato di stronzio, una variante del materiale ferroelettrico utilizzato nelle smartcard e lo depositarono su silicio, mettendolo in uno stato in cui poteva trattenere informazioni anche quando l'alimentazione è spenta. Le nuove scoperte tagliano gli strati intermedi che hanno reso difficile la messa del materiale sul silicio.
Tipicamente quando l'alimentazione viene spenta, le tensioni scompaiono dai transistor, che devono essere ricreati quando si accende l'alimentazione. Per ricrearli, le informazioni rilevanti vengono caricate da supporti di memorizzazione non volatili come i dischi rigidi, che richiede tempo. I transistor ferroelettrici mantengono la magnetizzazione quando il campo elettrico viene disattivato, consentendo di conservare i dati.
La tecnologia caricherà i sistemi operativi in modo diverso dalle tecnologie di memoria esistenti come le DRAM e le tecnologie di archiviazione come dischi rigidi e unità a stato solido. I transistor ferroelettrici differiscono concettualmente nel modo in cui i dati vengono caricati e trattenuti, ha affermato Schlom.
I vantaggi dei transistor ferroelettrici sono stati realizzati per la prima volta nel 1955 dagli scienziati dei Bell Labs, ha detto Schlom. Anche se le scoperte recenti sono un importante passo avanti, sono necessarie ulteriori ricerche per costruire un transistor ferroelettrico per rendere il calcolo istantaneo una realtà, ha detto Schlom. Non era in grado di fornire una tempistica per quando sarebbero stati costruiti tali transistor.
I ricercatori comprendono anche scienziati dell'Istituto nazionale degli standard e della tecnologia, Motorola e Intel. La ricerca è finanziata dalla National Science Foundation e dal governo degli Stati Uniti.
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