Advisory Council Meeting, 30 September 2014, Warsaw
Samsung vede i vantaggi di dimensioni e potenza nella memoria a cambiamento di fase (PCM), un tipo di memoria che viene spinto in sostituzione della memoria che va oggi in dispositivi come i telefoni cellulari.
Per anni, il società di semiconduttori ha svolto ricerche su PCM, che è considerato un tipo di memoria sperimentale. Il PCM coinvolge materiale simile al vetro che cambia stato quando gli atomi vengono riorganizzati. Lo stato del materiale corrisponde agli 1 e agli 0 nel calcolo, consentendo di utilizzarlo per memorizzare i dati.
Molte aziende, tra cui Intel e Infineon Technologies, sono state coinvolte separatamente nello sviluppo di PCM per molti anni, cercando di ridurre le dimensioni, migliorare la velocità e la capacità di archiviazione. I sostenitori hanno sostenuto che il PCM potrebbe prendere il posto dei tipi di memoria flash NAND e NOR utilizzati nei dispositivi mobili.
I chip PCM verranno inizialmente utilizzati nei dispositivi mobili come i telefoni e in definitiva offrono una riduzione del 30% del consumo energetico e un 40 Percentuale "spazio ridotto" quando si cambiano le parti di memoria da NOR flash a PCM, ha detto Harry Yoon, senior manager del marketing tecnico di Samsung Semiconductor.
Samsung ha iniziato la produzione di chip PCM da 512 megabit, ha detto Yoon. La produzione dei chip aumenterà con la domanda dei clienti.
C'è molto slancio nello sviluppo del PCM, ma il tipo di memoria è ancora in fase di ricerca e necessita di anni per sostituire i tipi di memoria esistenti nei dispositivi mobili, hanno detto gli analisti. Potrebbero essere necessari molti anni per lasciare il segno nei dispositivi mobili, ha detto Jim Handy, analista di Objective Analysis, una società di ricerche di mercato dei semiconduttori.
Il PCM potrebbe diventare fattibile in un determinato processo di produzione, ha detto Handy, che potrebbe richiedere 12 anni, Egli ha detto. In questo momento, i processi di produzione della memoria sono a 34 nanometri e il processo deve scendere da 10 a 12 nanometri, ha detto Handy.
PCM potrebbe inizialmente sostituire il flash NOR in dispositivi come gli smartphone, hanno detto gli analisti. Rispetto a NOR, PCM offre accesso e resistenza ai dati più veloci, ha affermato Gregory Wong, analista di Forward Insights. PCM offre anche significativi risparmi energetici rispetto ai tipi di memoria esistenti.
Il PCM può avere tempi più lunghi per lo spostamento del flash NAND, che viene utilizzato per memorizzare immagini e filmati su dispositivi come gli smartphone, ha detto Handy. NAND potrebbe avere un vantaggio in termini di prezzo per ostacolare l'adozione di PCM.
Toshiba ha recentemente dimostrato che potrebbe rendere NAND flash utilizzando il processo a 10 nanometri. La NAND potrebbe competere con il PCM poiché le dimensioni dei chip continuano a ridursi, ha detto Handy. Ma il flash NAND raggiungerà la fine della sua linea ad un certo punto, ovvero quando PCM o tecnologie di memoria concorrenti potrebbero decollare.
Wong ha detto che anche PCM deve superare problemi di sviluppo e relativi ai costi a breve termine. Ad esempio, il flash NOR memorizza due bit per cella, mentre il PCM memorizza solo un bit, il che fa aumentare i costi di sviluppo.
"Dovranno essere in grado di ridurre in modo aggressivo la cella di memoria per renderla competitiva con NOR ", ha detto Wong.
Tuttavia, l'annuncio di produzione di Samsung è una pietra miliare significativa per il futuro di PCM, hanno detto gli analisti.
" Quello che sembrano implicare è che sono passati da qualcosa che era una curiosità di laboratorio per qualcosa che credono possa essere prodotto in serie ", ha detto Handy. "Significa che hanno visto un futuro più brillante per PCM rispetto ad altre tecnologie."
Numonyx - una joint venture tra STMicroelectronics e Intel - ha già commercialmente commercializzato dispositivi PCM con il nome in codice "Alverstone" in piccoli numeri. Samsung e Numonyx all'inizio dell'anno hanno annunciato che le società svilupperebbero congiuntamente specifiche PCM.
Esistono altre tecnologie oltre alla ricerca PCM come alternativa alla memoria flash, tra cui MRAM (memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) e RRAM (memoria ad accesso casuale resistivo).
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