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Toshiba ha sviluppato una versione a bassa potenza e ad alta velocità della memoria MRAM che dice può ridurre il consumo di energia nelle CPU mobili di due terzi.
La società ha detto che il suo nuovo MRAM (memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) può essere utilizzata negli smartphone come memoria cache per processori mobili, sostituendo la SRAM oggi ampiamente utilizzata.
"Recentemente, la quantità di SRAM utilizzata nei processori di applicazioni mobili è aumentata, e questo ha aumentato il numero di consumo energetico ", ha dichiarato il portavoce di Toshiba Atsushi Ido.
[Ulteriori letture: i migliori telefoni Android per ogni budget.]"Questa ricerca si concentra sul taglio del consumo energetico, aumentando la velocità, anziché aumentare la quantità di memoria."
L'abbassamento del consumo energetico nei dispositivi mobili è un obiettivo per i produttori di dispositivi, dove calore e durata della batteria sono importanti preoccupazioni per i consumatori. MRAM utilizzato per le cache di memoria sarà dell'ordine di diversi megabyte di spazio di archiviazione. La tecnologia è stata sviluppata anche da Toshiba e da altre aziende con una capacità di archiviazione molto più elevata come possibile sostituto della memoria flash e DRAM.
MRAM utilizza la memoria magnetica per tenere traccia dei bit, in contrasto con la maggior parte delle attuali tecnologie RAM, che utilizzano oneri. La nuova tecnologia non è volatile, conserva i suoi dati anche senza alimentazione, ma di solito richiede più corrente per funzionare ad alte velocità.
Toshiba ha affermato che la sua ricerca utilizza la tecnologia spin-torque, in cui viene utilizzata la rotazione di elettroni per impostare il orientamento dei suoi bit magnetici, riducendo la carica necessaria per le scritture di dati. I nuovi chip usano elementi inferiori a 30 nm.
Ido ha detto che non ci sono limiti di tempo per quando la memoria cache MRAM entrerà nel mercato.
Separatamente, Toshiba sta anche lavorando con Hynix per sviluppare MRAM per il prossimo- prodotti di memoria generazionale. Toshiba ha detto che promuoverà prodotti che combinano diverse tecnologie di memoria, come MRAM e NAND flash.
Il mese scorso, Everspin ha annunciato di aver spedito il primo chip MRAM al mondo (Spin-Torque) in sostituzione della DRAM. La società ha dichiarato di vedere i nuovi chip come memoria buffer nelle unità a stato solido e come memoria ad accesso rapido, soprattutto nei data center.
Toshiba presenterà la ricerca all'IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) che si terrà a San Francisco questa settimana, che si concentra sulle nuove tecnologie dei semiconduttori. L'IEEE, o Institute of Electrical and Electronic Engineers, è un'organizzazione che promuove la ricerca principalmente su argomenti di ingegneria elettrica.
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