Toshiba sviluppa una larghezza di banda più elevata FeRAM

Toshiba ha sviluppato una versione a capacità più elevata del suo FeRAM (ferroelettrico RAM) che può inviare e ricevere dati ad una velocità otto volte superiore rispetto al prototipo precedentemente dettagliato.

FeRAM è un tipo di memoria relativamente nuovo che combina la velocità dei chip DRAM, che sono più comunemente usati come memoria principale nei computer e la possibilità di conservare i dati mentre l'alimentazione è disattivata come i chip di memoria flash utilizzati nei telefoni cellulari, nelle fotocamere e in altri dispositivi. È in fase di sviluppo da anni ma non ha ancora visto una produzione su larga scala.

Il nuovo chip, che sarà presentato in dettaglio alla Conferenza internazionale sui circuiti a stato solido (ISSCC) di questa settimana a San Francisco, ha una capacità di 16 MB e una lettura / velocità di scrittura di 1,6 GB al secondo. Toshiba ha presentato i propri progressi FeRAM nel 2006 quando aveva un chip da 4 MB che gestiva il trasferimento dati a 200 Mbps.

Il chip da definire all'ISSCC questa settimana è l'ultimo di una serie di prototipi dell'azienda, che sta lavorando per un possibile commercializzazione della tecnologia. L'azienda non ha piani concreti per iniziare la produzione in serie dei chip e afferma che il prezzo rimane uno dei maggiori ostacoli.

Le applicazioni target includono la memoria cache su chip nei semiconduttori. Mentre supporta la lettura e la scrittura veloce e può mantenere il suo contenuto anche quando è spento, la capacità complessiva del chip, a 16 MB, è molto inferiore rispetto a un chip di memoria flash convenzionale.