Notizia: i "Me contro Te" sono stati rapiti.
Sommario:
- Caricare il telefono per 5 ore in 5 minuti
- Snapdragon diventerà ancora più scattante con il chipset 835
Qualcomm ha annunciato il lancio di Snapdragon 835, il successore di Snapdragon 821 che gira a 2, 35 GHz. Insieme ad essa, la società ha anche annunciato la sua prossima tecnologia Quick Charge 4, che consentirà agli utenti di caricare i propri dispositivi per 5 ore di utilizzo entro 5 minuti.
La società si sta concentrando sul miglioramento della durata della batteria e della tecnologia di ricarica poiché un gruppo di acquirenti cerca una batteria migliore e opzioni di ricarica rapida al giorno d'oggi acquistando un telefono.
Caricare il telefono per 5 ore in 5 minuti
La multinazionale con sede negli Stati Uniti ha anche svelato la sua tecnologia Quick Charge 4 insieme al nuovo processore, che secondo l'azienda garantirà al tuo dispositivo 5 ore di autonomia in 5 minuti di carica.
La nuova tecnologia di ricarica funzionerà più velocemente del 20%, con un'efficienza aumentata del 30% rispetto a Quick Charge 3. Ciò non significa che anche il tuo dispositivo si surriscaldi rapidamente, poiché la nuova tecnologia funzionerà a temperature più fredde di 5 ° C.
Quick Charge 4 aiuterà anche il tuo dispositivo a caricare la batteria del 50% in 15 minuti o meno.
Questa è chiaramente una percentuale inferiore rispetto alla tecnologia di ricarica Dash di OnePlus, che è presente sul mercato da diversi mesi.
Di seguito sono riportate alcune delle funzionalità che Quick Charge 4 supera i suoi predecessori.
- USB Type-C e USB Power Delivery: nel tentativo di fornire servizi di ricarica rapida alle masse, Qualcomm ha standardizzato gli adattatori Quick Charge 4 in modo che possa supportare più dispositivi.
- Risparmio batteria: implementato per prolungare la durata della batteria e proteggere la batteria, il sistema, il cavo e il connettore misurando la corrente e la temperatura della tensione.
- Negoziazione intelligente per tensione ottimale (INOV): questo è un algoritmo che aiuta il sistema a determinare il trasferimento di potenza ottimale massimizzando al contempo l'efficienza. Questo aiuta a proteggere il telefono dal surriscaldamento a causa di picchi di corrente durante la carica.
- Doppia carica: questa tecnologia consente una ricarica rapida tramite un'efficace dissipazione termica.
Snapdragon diventerà ancora più scattante con il chipset 835
La società ha collaborato con Samsung per sviluppare il prossimo SoC di punta. Lo Snapdragon 835 sarà costruito sul nodo FinFET da 10 nm di Samsung, che consuma il 40 percento in meno di energia, quindi, offrendo al processore un miglioramento delle prestazioni complessive del 27% rispetto ai suoi predecessori.
Il nodo FinFET a 10 nm consentirà inoltre un'efficienza dell'area del 30% a causa delle sue dimensioni più ridotte rispetto al nodo 14 nm precedentemente utilizzato.
Le dimensioni ridotte non ostacolano le prestazioni, ma liberano più spazio per i produttori di chipset per aggiungere funzionalità aggiuntive o semplicemente snellire il dispositivo.
Snapdragon 835 e Quick Charge 4 di Qualcomm saranno entrambi disponibili entro la fine del secondo trimestre del 2017.
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